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目录
1 绪论
1.1 引言
1.2 III族氮化物材料概述
1.3 GaN材料的衬底技术
1.4 GaN基LED的基本原理
1.5 本论文的主要内容
2 材料测试表征方法
2.1 扫描电子显微镜
2.2 原子力显微镜
2.3 光致发光谱
2.4 X射线衍射
2.5 时域有限差分方法
3 基于碳纳米管图形衬底GaN生长及LED器件研究
3.1 引言
3.2 材料生长与器件制备
3.3 GaN外延材料的表征
3.4 成核机理分析
3.5 基于碳纳米管图形衬底的LED器件分析
3.6 本章小结
4 基于碳纳米管图形衬底GaN基LED光提取效率改
4.1 引言
4.2 工艺流程和器件测试
4.3 本章小结
5 总结与展望
5.1 主要结论
5.2 展望
参考文献
致谢
附录[1] 攻读硕士期间发表及录用的学术论文