用于相变存储器的新型器件和新型相变材料研究

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声明

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.1.1相变材料的由来和基本特性

1.1.2相变材料已有的应用：光盘存储

1.1.3相变材料的新应用：相变存储器

1.2 论文研究工作概述与选题动机

1.3 论文安排

第二章 相变存储器的基本原理，发展现状与趋势

2.1 存储原理

2.2 基本特性与测试方法

2.3 器件性能与现状

2.4 目前的主要问题

2.4.1过大的编写电流

2.4.2工艺波动的干扰

2.4.3位线上的电压降

2.4.4保持特性

2.5 解决的办法和途径

2.5.1操作电流问题

2.5.2可靠性问题

2.5.3其他问题

2.6 主要竞争对手们的未来发展和比较

2.7 总结和挑战

第三章 新型多值存储器件

3.1 工业生产中的要求

3.2 多态存储的可能性

3.3 一种新型的多值存储方法

3.4 器件的热学模拟

3.5 器件的制备方法

3.6 器件的性能

3.6.1器件的输出曲线

3.6.2器件的多值存储

3.7 总结

第四章 制备高性能相变材料的新方法

4.1 研究背景

4.2 (Si+N)-codoped GST薄膜的制备

4.3 (Si+N)-codoped GST薄膜的性能测试

4.3.1电阻与温度的关系

4.4 结构性能的改变

4.5 器件特性

4.6 本章小结

第五章 总结与展望

参考文献

硕士学习期间发表的学术论文

致谢