基于金属硬掩膜集成方案的铜互连双大马士革结构刻蚀工艺的开发及优化

答辩决议书

声明

第一章 绪论

1.1集成电路互连技术发展趋势

1.2铜互连技术的产生

1.3低K材料的引入

1.4刻蚀工艺简介

1.5刻蚀工艺在铜互连中的应用

1.6本文的研究内容及方向

1.7实验设备与条件

第二章 低图形密度下双大马士革结构一体化刻蚀通孔聚合物残留缺陷优化

2.1引言

2.2双大马士革结构一体化刻蚀工艺中聚合物残留缺陷描述

2.3低图形密度下通孔底部残留形成原因分析

2.4实验设计与工艺优化

2.5工艺优化结果确认

2.6本章小结

第三章 双大马士革结构一体化刻蚀后晶圆表面氟钛凝结缺陷控制优化

3.1引言

3.2刻蚀后晶圆表面氟钛残留物分布规律

3.3刻蚀后晶圆表面氟钛凝结物缺陷潜在形成机理分析

3.4氟钛残留物形成控制实验设计

3.5氟钛残留物形成控制实验结果与分析

3.6 PST过程的作用机理验证

3.7本章小结

第四章 双大马士革结构一体化刻蚀后湿法清洗工艺中铜腐蚀失效优化

4.1引言

4.2铜互连工艺中图形变异失效问题描述

4.3图形变异失效物理结构分析

4.4铜腐蚀失效潜在原因分析

4.5铜腐蚀失效重复验证湿法清洗实验设计

4.6铜腐蚀失效重复验证实验结果

4.7铜腐蚀失效机理分析与优化控制方案

4.8本章小结

第五章 总结与展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间已发表或录用的论文