第一章 绪 论
1.1 研究工作的背景与意义
1.2 固态电子薄膜器件应变调控的研究历史与现状
1.3 柔性电子薄膜器件应变调控的研究历史与现状
1.4 论文的主要工作和结构安排
第二章 斜切基底上典型功能薄膜的制备与表征
2.1 引言
2.2 铝酸镧单晶斜切基底的表面微结构
2.3 高分子前驱体溶液的制备机理
2.4基于斜切基底外延介电钛酸铜钙薄膜
2.4.1 钛酸铜钙薄膜样品的制备
2.4.2 薄膜的结构表征和测试系统
2.5 基于斜切基底外延介电调谐钛酸锶钡薄膜
2.5.1 钛酸锶钡薄膜样品的制备
2.5.2 薄膜的结构表征和测试系统
2.6 基于斜切基底外延磁性镧锶锰氧薄膜
2.6.1 镧锶锰氧薄膜样品的制备
2.6.2 薄膜的结构表征和测试系统
2.7 本章小结
第三章 斜切基底对外延功能薄膜物理性能的调控
3.1 引言
3.2 斜切基底对介电钛酸铜钙薄膜的调控
3.2.1 钛酸铜钙薄膜微观结构的调控
3.2.2 钛酸铜钙薄膜介电性能的调控
3.2.3 钛酸铜钙薄膜结构和性能的调控机理
3.3 斜切基底对介电钛酸锶钡薄膜的调控
3.3.1 钛酸锶钡薄膜微观结构的调控
3.3.2 钛酸锶钡薄膜介电性能的调控
3.3.3 钛酸锶钡薄膜结构和性能的调控机理
3.4 斜切基底对磁性镧锶锰氧薄膜的调控
3.4.1 镧锶锰氧微观结构的调控
3.4.2 镧锶锰氧电子运输和磁学性能的调控
3.5 本章小结
第四章 柔性硅薄膜和柔性氧化铟锡硅异质结的制备
4.1 引言
4.2 柔性硅薄膜的制备与表征
4.2.1 柔性硅薄膜的制备流程
4.2.2 柔性硅薄膜的结构表征
4.2.3 弯曲作用下柔性硅薄膜的性质
4.3 柔性异质结的制备与表征
4.3.1 柔性异质结的制备流程
4.3.2 柔性异质结的结构表征
4.4 本章小结
第五章 基于柔性氧化铟锡硅异质结的光探测器
5.1 引言
5.2 柔性光探测器的弯曲应变模型
5.2.1 柔性光探测器的制备
5.2.2 弯曲应变理论模型
5.2.3 弯曲应变的力学仿真
5.3 弯曲应变对柔性光探测器的性能调控
5.3.1 弯曲应变下的电学特性
5.3.2 弯曲应变下的光响应特性
5.3.3 弯曲应变下的光响应稳定性
5.4 弯曲应变对柔性光探测器性能的调控机理
5.5 本章小结
第六章 全文总结与展望
6.1 全文总结
6.2 论文工作主要创新点
6.3 后续工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
