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声明
第1章 绪论
1.1研究背景及意义
1.2国内外研究现状
1.3本论文的主要工作
第2章 带隙基准理论基础研究
2.1带隙基准的基本原理
2.2带隙基准电压的形成
2.3基准电压源的主要性能指标
2.3.1输出电压精度
2.3.2温度系数TC(Temperature Coefficient)
2.3.3噪声
2.3.4电源电压抑制比PSRR(Power Supply Rejiection Ratio)
2.3.5建立时间
2.3.6电源、负载调整率
2.4带隙基准的分类和特性
2.4.1经典的Widlar带隙基准
2.4.2 Brokaw结构的带隙基准
2.4.3衬底PNP型CMOS工艺带隙基准
2.5影响基准精度的主要因素
2.5.1运放的性能
2.5.2电流镜失配
2.5.3 PNP管的β值和欧姆电阻的影响
2.6带隙基准温度特性优化
2.6.1温度系数的理论分析
2.6.2温度曲率校正技术
2.6.3过温保护
第3章 带隙基准及过温保护电路总体设计
3.1启动与偏置电路
3.2基于Brokaw结构的带隙基准核心
3.3温度曲率补偿电路
3.4过温保护原理及实现
第4章 电路的仿真验证与结果分析
4.1仿真软件介绍
4.2电路的仿真结果及分析
4.2.1基准DC特性
4.2.2基准AC特性
4.2.3瞬态响应特性
4.2.4过温保护特性
4.3与同类结构性能比较
结论与展望
致 谢
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
西南交通大学;