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林少波;
西安电子科技大学;
带隙基准; 电源电压抑制比; 集成电路设计; 温度稳定性;
机译:具有低温系数和高电源抑制性能的CMOS带隙基准的设计
机译:使用单节点方法设计高电源抑制比互补金属氧化物半导体带隙电压参考
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:高电源抑制CMOS带隙电压参考的设计与分析
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:具有高开路电压的聚合物太阳能电池用三氟甲基取代的大带隙聚三苯胺
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:CmOs Ram的软错误敏感性:依赖于电源电压
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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