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第一章 绪论
1.1 4H-SiC功率MOSFET器件的优势
1.2集成SBD的4H-SiC功率MOSFE器件的研究意义
1.3集成SBD的4H-SiC功率MOSFE器件的研究现状
1.4本文的主要内容
第二章 集成SBD的4H-SiC VDMOSFET器件特性的分析
2.1集成SBD的4H-SiC VDMOSFET的工作状态分析与功耗计算
2.2集成SBD的4H-SiC VDMOSFET的静态特性
2.3集成SBD的4H-SiC VDMOSFET的开关特性
2.4集成SBD的4H-SiC VDMOSFET器件的高温特性
2.5本章小结
第三章 集成SBD的4H-SiC VDMOSFET器件仿真与结构设计
3.1 4H-SiC VDMOSFET与SBD器件仿真模型
3.2传统结构的VDMOSFET器件仿真与功耗分析
3.3集成SBD的VDMOSFET器件结构设计与特性分析
3.4本章小结
第四章 方形元胞的解析计算与元胞结构设计
4.1方形元胞的解析模型
4.2 C-VDMOSFET方形元胞的功耗分析
4.3集成结构方形元胞设计与特性分析
4.4本章小结
第五章 结论与展望
5.1总结
5.2展望
参考文献
致谢
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