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1.
High-quality 100/150 mm p-type 4H-SiC epitaxial wafer for high-voltage bipolar devices
机译:
用于高压双极型器件的高质量100/150 mm p型4H-SiC外延晶片
作者:
Naoto Ishibashi
;
Keisuke Fukada
;
Akira Bandoh
;
Kenji Momose
;
Hiroshi Osawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Doping;
Chemical vapor deposition;
Nonhomogeneous media;
Substrates;
Surface treatment;
Insulated gate bipolar transistors;
2.
Laser assisted SiC wafering using COLD SPLIT
机译:
使用COLD SPLIT的激光辅助SiC晶片
作者:
Marko Swoboda
;
Christian Beyer
;
Ralf Rieske
;
Wolfram Drescher
;
Jan Richter
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Surface treatment;
Substrates;
Stress;
Crystalline materials;
Crystals;
Rough surfaces;
3.
3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with highly reliable gate insulator and body diode
机译:
3.3 kV 4H-SiC DMOSFET,具有高度可靠的栅极绝缘体和体二极管
作者:
A. Shima
;
H. Shimizu
;
Y. Mori
;
M. Sagawa
;
K. Konishi
;
R. Fujita
;
T. Ishigaki
;
N. Tega
;
K. Kobayashi
;
S. Sato
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Insulators;
Silicon carbide;
MOSFET;
Semiconductor device reliability;
Doping;
4.
Study of etching processes for SiC defect analysis
机译:
SiC缺陷分析的蚀刻工艺研究
作者:
P. Wu
;
X. Xu
;
I. Zwieback
;
J. Hostetler
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Stacking;
Crystals;
Nitrogen;
Face;
5.
Design and simulation of 4H-SiC MESFET ultraviolet photodetector with gain
机译:
带增益的4H-SiC MESFET紫外光电探测器的设计与仿真
作者:
Yun Bai
;
Chengzhan Li
;
Huajun Shen
;
Chengyue Yang
;
Yidan Tang
;
Xinyu Liu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MESFETs;
Detectors;
Photodetectors;
Logic gates;
Microelectronics;
Doping;
Photoconductivity;
6.
Characterisation of 4H-SiC MOS capacitor with a protective coating for harsh environments applications
机译:
具有苛刻环境应用的保护涂层的4H-SiC MOS电容器的特性
作者:
S. K. Roy
;
J. U. Ibanez
;
A. G. ONeill
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Ohmic contacts;
Dielectrics;
Annealing;
Temperature;
Surface treatment;
MOS capacitors;
7.
Salicide-like process for the formation of gate and source contacts in 4H-SiC TSI-VJFETs
机译:
在4H-SiC TSI-VJFET中形成栅极和源极接触的类硅化物工艺
作者:
Antonios Stavrinidis
;
George Konstantinidis
;
Konstantinos Vamvoukakis
;
Konstantinos Zekentes
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Lithography;
Metals;
Silicides;
JFETs;
Fabrication;
Silicon carbide;
8.
1200 V SiC IE-UMOSFET with low on-resistance and high threshold voltage
机译:
具有低导通电阻和高阈值电压的1200 V SiC IE-UMOSFET
作者:
S. Harada
;
Y. Kobayashi
;
A. Kinoshita
;
N. Ohse
;
T. Kojima
;
M. Iwaya
;
H. Shiomi
;
H. Kitai
;
S. Kyogoku
;
K. Ariyoshi
;
Y. Onishi
;
H. Kimura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon carbide;
MOSFET;
Threshold voltage;
JFETs;
Resistance;
Epitaxial growth;
9.
4.5 kV SiC Junction Barrier Schottky diodes with low leakage current and high forward current density
机译:
具有低泄漏电流和高正向电流密度的4.5 kV SiC结势垒肖特基二极管
作者:
J. Schoeck
;
J. Buettner
;
M. Rommel
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Junctions;
Silicon carbide;
Leakage currents;
Current density;
Voltage measurement;
10.
Comparative study of p-type 4H-SiC grown on n-type and semi insulating 4H-SiC substrates
机译:
在n型和半绝缘4H-SiC衬底上生长的p型4H-SiC的比较研究
作者:
S. Contreras
;
L. Konczewicz
;
R. Arvinte
;
J. Ben Messaoud
;
T. Wang
;
H. Peyre
;
T. Chassagne
;
M. Zielinski
;
S. Juillaguet
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Silicon;
Doping;
Aluminum;
Hall effect;
Epitaxial layers;
High-speed optical techniques;
11.
Bulk growth of low resistivity n-type 4H-SiC using co-doping
机译:
共掺杂低电阻n型4H-SiC的块状生长
作者:
H. Suo
;
K. Eto
;
T. Kato
;
K. Kojima
;
H. Osawa
;
H. Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Conductivity;
Substrates;
Crystals;
Nitrogen;
Stacking;
Aluminum;
Epitaxial growth;
12.
Demonstration of 13-kV class junction barrier Schottky diodes in 4H-SiC with three-zone junction termination extension
机译:
演示具有三区结终止扩展的4H-SiC中的13kV类结势垒肖特基二极管
作者:
Hidenori Kitai
;
Yasuo Hozumi
;
Hiromu Shiomi
;
Masaki Furumai
;
Kazuhiko Omote
;
Kenji Fukuda
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Junctions;
Silicon carbide;
PIN photodiodes;
Silicon;
Computational modeling;
Predictive models;
13.
Electrical properties and interface structure of SiC MOSFETs with barium interface passivation
机译:
钡界面钝化的SiC MOSFET的电性能和界面结构
作者:
D. J. Lichtenwalner
;
J. Houston Dycus
;
Weizong Xu
;
James M. Lebeau
;
B. Hull
;
S. Allen
;
J. W. Palmour
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Barium;
MOSFET;
Annealing;
Passivation;
Iron;
Strain;
14.
Design and fabrication of 1400V 4H-SiC accumulation mode MOSFETs (ACCUFETs)
机译:
1400V 4H-SiC累积模式MOSFET(ACCUFET)的设计与制造
作者:
Woongje Sung
;
B. J. Baliga
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Fabrication;
Threshold voltage;
MOSFET;
Silicon carbide;
Doping;
Structural rings;
Nanoscale devices;
15.
Reduction of dislocation density in bulk silicon carbide crystals grown by PVT on profiled seeds
机译:
PVT在异形种子上生长的块状碳化硅晶体中位错密度的降低
作者:
Eugene N. Mokhov
;
Sergey S. Nagalyuk
;
Victor A. Soltamov
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Etching;
Crystals;
Aluminum;
Plasma temperature;
Manufacturing;
16.
DLTS study on Al+ ion implanted and 1950°C annealed p-i-n 4H-SiC vertical diodes
机译:
DLTS对注入Al +离子和1950°C退火的p-i-n 4H-SiC垂直二极管的研究
作者:
H. M. Ayedh
;
M. Puzzanghera
;
B. G. Svensson
;
R. Nipoti
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
P-i-n diodes;
Silicon carbide;
Electron traps;
Ions;
Ion implantation;
Transient analysis;
17.
Implementation of 4H-SiC pin-diodes as nearly linear temperature sensors up to 800 K towards SiC multi-sensor integration
机译:
将4H-SiC引脚二极管实现为近线性温度传感器,最高可达800 K,以实现SiC多传感器集成
作者:
Christian D. Matthus
;
Tobias Erlbacher
;
Bernhard Schöfer
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Semiconductor device measurement;
Semiconductor diodes;
Sensitivity;
Current density;
Voltage measurement;
18.
Re-investigation of SiC/SiO2 interface passivation by nitrogen annealing
机译:
氮气退火对SiC / SiO2界面钝化的再研究
作者:
Zhao-Yang Peng
;
Yi-Yu Wang
;
Hua-Jun Shen
;
Yun Bai
;
Yi-Dan Tang
;
Xi-Ming Chen
;
Cheng-Zhan Li
;
Ke-An Liu
;
Xin-Yu Liu
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Nitrogen;
Silicon carbide;
MOS capacitors;
Interface states;
Dielectric breakdown;
Dielectric measurement;
19.
Next generation planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with low specific on-resistance and high switching speed
机译:
具有低导通电阻和高开关速度的下一代平面1700 V,20mΩ4H-SiC DMOSFET
作者:
Q. J. Zhang
;
G. Wang
;
C. Jonas
;
C. Capell
;
S. Pickle
;
P. Butler
;
D. Lichtenwalner
;
E. Van Brunt
;
S. Ryu
;
J. Richmond
;
B. Hull
;
J. Casady
;
S. Allen
;
J. Palmour
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Schottky diodes;
Insulated gate bipolar transistors;
Silicon;
Switches;
20.
Susceptor coating materials applicable for SiC reactor cleaning
机译:
适用于SiC反应器清洁的基座涂层材料
作者:
Kohei Shioda
;
Hitoshi Habuka
;
Hideki Ito
;
Shin-ichi Mitani
;
Yoshinao Takahashi
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Inductors;
Coatings;
Cleaning;
Carbon;
Films;
21.
SiC solution growth on Si face with extremely low density of threading screw dislocations for suppression of polytype transformation
机译:
SiC溶液在丝面上的生长,具有极低的螺纹位错密度,可抑制多型转变
作者:
K. Murayama
;
T. Mori
;
S. Harada
;
S. Xiao
;
M. Tagawa
;
T. Ujihara
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Crystals;
Temperature distribution;
Silicon;
Face;
Fasteners;
Spirals;
22.
Experimentally observed electrical durability of 4H-SiC JFET ICs operating from 500 °C to 700 °C
机译:
实验观察到的在500°C至700°C下工作的4H-SiC JFET IC的电气耐久性
作者:
Philip G. Neudeck
;
David J. Spry
;
Liangyu Chen
;
Dorothy Lukco
;
Carl W. Chang
;
Glenn M. Beheim
会议名称:
《》
|
2016年
关键词:
Integrated circuits;
JFETs;
Testing;
NASA;
Metals;
Packaging;
Junctions;
23.
Modeling of stacking fault expansion velocity of body diode in 4H-SiC MOSFET
机译:
4H-SiC MOSFET中体二极管堆叠故障扩展速度的建模
作者:
K. Konishi
;
R. Fujita
;
A. Shima
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
P-i-n diodes;
MOSFET;
Schottky diodes;
Degradation;
Voltage measurement;
Temperature measurement;
Stacking;
24.
Effect of neutron irradiation on current-voltage characteristics of packaged diodes based on 6H-SiC pn structures
机译:
中子辐照对基于6H-SiC pn结构的封装二极管电流-电压特性的影响
作者:
A. M. Strelchuk
;
V. T. Gromov
;
V. V. Zelenin
;
A. N. Kuznetsov
;
A. A. Lebedev
;
N. G. Orlov
;
N. S. Savkina
;
V. P. Shukailo
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Radiation effects;
Neutrons;
Epitaxial layers;
Substrates;
Metals;
Resistance;
Plasma temperature;
25.
Analysis of 4H-SiC MOS capacitors on macro-stepped surfaces
机译:
宏观阶梯表面上的4H-SiC MOS电容器分析
作者:
Massimo Camarda
;
Judith Woerle
;
Veronique Souliere
;
Gabriel Ferro
;
Hans Sigg
;
Ulrike Grossner
;
Jens Gobrecht
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Surface morphology;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Silicon carbide;
MOSFET;
Silicon;
Annealing;
26.
Demonstrating the instability of SiC ohmic contacts and drain terminal metallization schemes aged at 300 °C
机译:
证明在300°C时效的SiC欧姆接触和漏极端子金属化方案的不稳定性
作者:
D. P. Hamilton
;
S. A. Hindmarsh
;
F. Li
;
M. R. Jennings
;
S. A. O. Russell
;
R. A. McMahon
;
P. A. Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nickel;
Silicides;
Silicon carbide;
Metallization;
Degradation;
MOSFET;
Ohmic contacts;
27.
Improved switching characteristics obtained by using high-k dielectric layers in 4H-SiC IGBT: Physics-based simulation
机译:
通过在4H-SiC IGBT中使用高k介电层获得改善的开关特性:基于物理的仿真
作者:
Vidya Naidu
;
Sivaprasad Kotamraju
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Dielectrics;
Insulated gate bipolar transistors;
High K dielectric materials;
Hafnium compounds;
Electric fields;
Switches;
28.
Extension of stacking faults in 4H-SiC pn diodes under a high current pulse stress
机译:
高电流脉冲应力下4H-SiC pn二极管堆叠故障的扩展
作者:
Yohei Iwahashi
;
Masaki Miyazato
;
Masaaki Miyajima
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Tomohisa Kato
;
Hirokazu Fujiwara
;
Kimimori Hamada
;
Akihiro Otsuki
;
Hajime Okumura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Stress;
Degradation;
Silicon carbide;
Stacking;
Circuit faults;
Temperature dependence;
MOSFET;
29.
Combined N2O and phosphorus passivations for the 4H-SiC/SiO2 interface with oxide grown at 1400°C
机译:
结合N2O和磷钝化的4H-SiC / SiO2界面与在1400°C生长的氧化物
作者:
Hua Rong
;
Yogesh Sharma
;
Philip Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Passivation;
Phosphorus;
Oxidation;
MOSFET;
MOS capacitors;
Annealing;
Fabrication;
30.
Enhanced-oxidation and interface modification on 4H-SiC(0001) substrate using Alkaline earth metal
机译:
碱土金属在4H-SiC(0001)衬底上的增强氧化和界面改性
作者:
Kosuke Muraoka
;
Hiroshi Sezaki
;
Seiji Ishikawa
;
Tomonori Maeda
;
Tadashi Sato
;
Takamaro Kikkawa
;
Shin-Ichiro Kuroki
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Barium;
Silicon carbide;
MOSFET;
Substrates;
MOS capacitors;
Oxidation;
31.
Realization and characterization of carbonic layers on 4H-SiC for electrochemical detections
机译:
用于电化学检测的4H-SiC上碳层的实现与表征
作者:
J. Pezard
;
V. Soulière
;
M. Lazar
;
N. Haddour
;
F. Buret
;
C. Raynaud
;
D. Planson
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Electrodes;
Graphene;
Diamond;
Carbon;
Resists;
Silicon carbide;
Sensors;
32.
An electrical and physical study of crystal damage in high-dose Al- and N-implanted 4H-SiC
机译:
高剂量铝和氮注入的4H-SiC晶体损伤的电学和物理研究
作者:
C. A. Fisher
;
R. Esteve
;
S. Doering
;
M. Roesner
;
M. De Biasio
;
M. Kraft
;
W. Schustereder
;
R. Rupp
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Temperature;
Crystals;
Resistance;
Silicon carbide;
Implants;
Plasma temperature;
33.
650V SiC cascode: A breakthrough for wide-bandgap switches
机译:
650V SiC共源共栅:宽带隙开关的突破
作者:
Peter Aiexandrov
;
Anup Bhalla
;
Zhongda Li
;
Xueqing Li
;
John Bendel
;
Jonathan Dodge
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
JFETs;
Silicon;
MOSFET;
Gallium nitride;
Junctions;
34.
4H-SiC defects evolution by thermal processes
机译:
热处理过程中4H-SiC缺陷的演变
作者:
N. Piluso
;
M. A. Di Stefano
;
S. Lorenti
;
F. La Via
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Ion implantation;
Annealing;
Stacking;
Epitaxial layers;
Silicon carbide;
Epitaxial growth;
Photoluminescence;
35.
Improving mechanical strength and surface uniformity to prepare high quality thinned 4H-SiC epitaxial wafer using Si-vapor etching technology
机译:
提高机械强度和表面均匀性,以使用硅气相蚀刻技术制备高质量的薄化4H-SiC外延晶片
作者:
Satoshi Torimi
;
Koji Ashida
;
Norihito Yabuki
;
Masato Shinohara
;
Takuya Sakaguchi
;
Yoji Teramoto
;
Satoru Nogami
;
Makoto Kitabatake
;
Tadaaki Kaneko
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Surface morphology;
Substrates;
Etching;
Epitaxial growth;
Rough surfaces;
36.
Suppression of the forward degradation in 4H-SiC PiN diodes by employing a recombination-enhanced buffer layer
机译:
通过使用复合增强缓冲层来抑制4H-SiC PiN二极管中的正向退化
作者:
Takeshi Tawara
;
Tetsuya Miyazawa
;
Mina Ryo
;
Masaki Miyazato
;
Takumi Fujimoto
;
Kensuke Takenaka
;
Shinichiro Matsunaga
;
Masaaki Miyajima
;
Akihiro Otsuki
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Degradation;
Buffer layers;
PIN photodiodes;
Charge carrier lifetime;
Stacking;
MOSFET;
Power systems;
37.
Elementary screw and mixed-type dislocations in 4H-SiC characterized by X-ray topography taken with six equivalent 11–28 g-vectors and a comparison to etch pit evaluation
机译:
4H-SiC中的基本螺钉和混合型位错,其特征是使用六个等效的11–28 g向量对X射线形貌进行了表征,并与蚀刻坑评估进行了比较
作者:
Y. Yao
;
Y. Ishikawa
;
Y. Sugawara
;
Y. Takahashi
;
K. Hirano
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Chemicals;
Etching;
Degradation;
Fasteners;
Silicon carbide;
Ceramics;
38.
1200V SiC Trench-MOSFET optimized for high reliability and high performance
机译:
1200V SiC Trench-MOSFET经过优化,具有高可靠性和高性能
作者:
D. Peters
;
T. Aichinger
;
T. Basler
;
W. Bergner
;
D. Kueck
;
R. Esteve
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Reliability;
Silicon carbide;
Junctions;
Temperature distribution;
39.
Low energy electron channeling contrast imaging from 4H-SiC surface by SEM and its comparison with CDIC-OM and PL imaging
机译:
SEM从4H-SiC表面进行低能电子沟道对比成像及其与CDIC-OM和PL成像的比较
作者:
Koji Ashida
;
Toru Aiso
;
Manabu Okamoto
;
Hirokazu Seki
;
Makoto Kitabatake
;
Tadaaki Kaneko
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Scanning electron microscopy;
Optical microscopy;
Atomic force microscopy;
Atom optics;
Atomic layer deposition;
40.
Observation of basal plane dislocation in 4H-SiC wafer by mirror projection electron microscopy and low-energy SEM
机译:
镜面投影电子显微镜和低能SEM观察4H-SiC晶片基面位错
作者:
Toshiyuki Isshiki
;
Masaki Hasegawa
;
Yoshihisa Orai
;
Atsushi Miyaki
;
Takahiro Sato
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Scanning electron microscopy;
Surface morphology;
Silicon carbide;
Mirrors;
Surface charging;
41.
Switching performance of V-groove trench gate SiC MOSFETs with grounded buried p+ regions
机译:
带有埋入式p +区域的V槽沟槽栅SiC MOSFET的开关性能
作者:
Y. Saitoh
;
T. Masuda
;
H. Tamaso
;
H. Notsu
;
H. Michikoshi
;
K. Hiratsuka
;
S. Harada
;
Y. Mikamura
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Switches;
Silicon carbide;
Industries;
Capacitance;
Switching loss;
42.
V and Ti doping in 4H-SiC epitaxy for reduction of carrier lifetimes
机译:
在4H-SiC外延中掺杂V和Ti以减少载流子寿命
作者:
Tetsuya Miyazawa
;
Takeshi Tawara
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Doping;
Charge carrier lifetime;
Substrates;
Epitaxial growth;
Inductors;
Photoluminescence;
Gas lasers;
43.
4H-SiC PIN diode as high temperature multifunction sensor
机译:
4H-SiC PIN二极管作为高温多功能传感器
作者:
Shuoben Hou
;
Per-Erik Hellström
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael Östling
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
Semiconductor diodes;
PIN photodiodes;
Optical sensors;
Plasma temperature;
Metals;
44.
Short-circuit robustness testing of SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的短路鲁棒性测试
作者:
Ronald Green
;
Damian P. Urciuoli
;
Aivars J. Lelis
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Logic gates;
Silicon;
Robustness;
Stress;
Power conversion;
45.
Impact of carrier lifetime enhancement using high temperature oxidation on 15 kV 4H-SiC P-GTO thyristor
机译:
高温氧化提高载流子寿命对15 kV 4H-SiC P-GTO晶闸管的影响
作者:
S. Ryu
;
D. Lichtenwalner
;
E. Van Brunt
;
C. Capell
;
M. OLoughlin
;
C. Jonas
;
Y. Lemma
;
J. Zhang
;
J. Richmond
;
A. Burk
;
B. Hull
;
H. OBrien
;
A. Ogunniyi
;
A. Lelis
;
J. Casady
;
D. Grider
;
S. Allen
;
J. Palmour
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier lifetime;
Oxidation;
Low earth orbit satellites;
Photonic band gap;
Switches;
Thyristors;
Doping;
46.
Novel advanced analytical design tool for 4H-SiC VDMOSFET devices
机译:
适用于4H-SiC VDMOSFET器件的新型高级分析设计工具
作者:
L. Di Benedetto
;
G. D. Licciardo
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
;
A. Rubino
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor process modeling;
Logic gates;
Doping;
Junctions;
Electric fields;
Semiconductor device modeling;
Breakdown voltage;
47.
Improved 4H-SiC N-MOSFET interface passivation by combining N2O oxidation with Boron diffusion
机译:
通过结合N2O氧化和硼扩散来改进4H-SiC N-MOSFET界面钝化
作者:
M. Cabello
;
V. Soler
;
N. Mestres
;
J. Montserrat
;
J. Rebollo
;
J. Millan
;
P. Godignon
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Boron;
MOSFET;
Oxidation;
Silicon carbide;
MOSFET circuits;
Passivation;
48.
Characterization of B-implanted 3C-SiC for intermediate band solar cells
机译:
B注入的3C-SiC用于中带太阳能电池的表征
作者:
Quanbao Ma
;
Patricia Carvalho
;
Augustinas Galeckas
;
Alexander Azarov
;
Sigurd Hovden
;
Annett Th⊘gersen
;
Daniel N. Wright
;
Spyros Diplas
;
Ole M. L⊘vvik
;
Valdas Jokubavicius
;
Jianwu Sun
;
Mikael Syväjärvi
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Boron;
Photonic band gap;
Physics;
Silicon carbide;
Photovoltaic systems;
49.
Analysis of interface trap density and channel mobility in 4H-SiC NMOS capacitors and lateral MOSFETs
机译:
4H-SiC NMOS电容器和横向MOSFET的界面陷阱密度和沟道迁移率分析
作者:
M. Domeij
;
J. Franchi
;
K. Gumaelius
;
K. Lee
;
F. Allerstam
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Capacitors;
Frequency measurement;
Silicon carbide;
Logic gates;
Capacitance-voltage characteristics;
50.
Negative bias temperature instability on subthreshold swing of SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET亚阈值摆幅上的负偏置温度不稳定性
作者:
Cheng-Tyng Yen
;
Hsiang-Ting Hung
;
Chien-Chung Hung
;
Lurng-Shehng Lee
;
Chwan-Ying Lee
;
Yao-Feng Huang
;
Fu-Jen Hsu
;
Tzong-Liang Chen
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Charge carrier processes;
Interface states;
Logic gates;
Negative bias temperature instability;
Threshold voltage;
51.
Capacitances in 4H-SiC TSI-VJFETs
机译:
4H-SiC TSI-VJFET中的电容
作者:
M. Kayambaki
;
K. Vamvoukakis
;
A. Stavrinidis
;
G. Konstantinidis
;
N. Kornilios
;
K. Zekentes
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Capacitance;
Capacitance measurement;
Voltage measurement;
Electrodes;
Threshold voltage;
JFETs;
Silicon carbide;
52.
Formation of D-center in p-type 4H-SiC epi-layers during high temperature treatments
机译:
高温处理过程中p型4H-SiC外延层中D中心的形成
作者:
H. M. Ayedh
;
N. Iwamoto
;
R. Nipoti
;
A. Hallén
;
B.G. Svensson
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Ion implantation;
Photonic band gap;
Silicon;
Annealing;
Silicon carbide;
Capacitance-voltage characteristics;
53.
Quality improvement of 4″ 4H-SiC crystal by using modified seed adhesion method
机译:
改进的种子附着法改善4″ 4H-SiC晶体的质量
作者:
Jung-Woo Choi
;
Jong-Hwi Park
;
Jung-Doo Seo
;
Jung-Gyu Kim
;
Myung-Ok Kyun
;
Kap-Ryeol Ku
;
Hwang-Ju Kim
;
Dong-Hoon Lee
;
Yeon-Suk Jang
;
Won-Jae Lee
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Silicon carbide;
Adhesives;
Graphite;
Delamination;
Photonic band gap;
Semiconductor materials;
54.
SiC power devices in impedance source converters
机译:
阻抗源转换器中的SiC功率器件
作者:
Jacek Rabkowski
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Impedance;
Switching frequency;
Inverters;
Inductors;
MOSFET;
55.
Dislocation revelation and categorization for thick free-standing GaN substrates grown by HVPE
机译:
HVPE生长的独立式厚GaN衬底的位错揭示和分类
作者:
Y. Yao
;
Y. Ishikawa
;
Y. Sugawara
;
D. Yokoe
;
M. Sudo
;
N. Okada
;
K. Tadatomo
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Etching;
Geometry;
Substrates;
Transmission electron microscopy;
Correlation;
56.
Analysis of thin thermal oxides on (0001) SiC epitaxial layers
机译:
(0001)SiC外延层上的薄热氧化物分析
作者:
Judith Woerle
;
Massimo Camarda
;
Christof W. Schneider
;
Hans Sigg
;
Ulrike Grossner
;
Jens Gobrecht
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Silicon carbide;
Thermal analysis;
Thermal conductivity;
Epitaxial layers;
Interface states;
Capacitance measurement;
57.
Depth profile of doping concentration in thick (> 100 μm) and low-doped (< 4 × 1014 cm−3) 4H-SiC epilayers
机译:
厚(> 100μm)和低掺杂(<4×1014 cm-3)4H-SiC外延层中掺杂浓度的深度分布
作者:
Keisuke Fukada
;
Naoto Ishibashi
;
Yoshihiko Miyasaka
;
Akira Bandoh
;
Kenji Momose
;
Hiroshi Osawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Doping;
Epitaxial growth;
Inductors;
Silicon carbide;
Epitaxial layers;
Voltage measurement;
Semiconductor device measurement;
58.
Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth
机译:
SiC溶液生长过程中,由于宏观台阶在生长表面的碰撞而引起的基面位错的形成
作者:
T. Hori
;
K. Murayama
;
S. Harada
;
S. Xiao
;
M. Tagawa
;
T. Ujihara
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Crystals;
Face;
Surface morphology;
Surface topography;
Morphology;
Graphite;
59.
Comparison of thermal stress during short-circuit in different types of 1.2 kV SiC transistors based on experiments and simulations
机译:
基于实验和仿真的不同类型的1.2 kV SiC晶体管短路时的热应力比较
作者:
Diane-Perle Sadik
;
Jang-Kwon Lim
;
Juan Colmenares
;
Mietek Bakowski
;
Hans-Peter Nee
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
JFETs;
MOSFET;
Junctions;
Performance evaluation;
Temperature distribution;
60.
Tuning performance of silicon carbide micro-resonators
机译:
碳化硅微谐振器的调谐性能
作者:
Rebecca Cheung
;
Graham S. Wood
;
Enrico Mastropaolo
;
Boris Sviličić
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Resonant frequency;
Tuning;
Micromechanical devices;
Bridge circuits;
Temperature measurement;
Performance evaluation;
61.
The effect of interfacial charge on the development of wafer bonded silicon-on-silicon-carbide power devices
机译:
界面电荷对晶圆键合碳化硅功率器件开发的影响
作者:
P. M. Gammon
;
F. Li
;
C. W. Chan
;
A. Sanchez
;
S. Hindmarsh
;
F. Gity
;
T. Trajkovic
;
V. Kilchytska
;
V. Pathirana
;
G. Camuso
;
K. Ben Ali
;
D. Flandre
;
P. A. Mawby
;
J. W. Gardner
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Substrates;
Performance evaluation;
Transistors;
Schottky diodes;
Physics;
62.
High temperature bipolar master-slave comparator and frequency divider in 4H-SiC technology
机译:
4H-SiC技术中的高温双极主从比较器和分频器
作者:
Raheleh Hedayati
;
Luigia Lanni
;
Muhammad Shakir
;
Arash Salemi
;
Carl-Mikael Zetterling
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Frequency conversion;
Master-slave;
Temperature sensors;
CMOS integrated circuits;
Junctions;
63.
Chemical stability of Si-SiC nanostructures under physiological conditions
机译:
生理条件下Si-SiC纳米结构的化学稳定性
作者:
R. Bange
;
E. Bano
;
L. Rapenne
;
S. Labau
;
B. Pelissier
;
M. Legallais
;
B. Salem
;
V. Stambouli
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Silicon;
Nanobioscience;
Chemicals;
Physiology;
Nanostructures;
Thermal stability;
64.
Growth and temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
机译:
不同氮掺杂4H-SiC晶体的生长和随温度变化的拉曼特性
作者:
X. L. Yang
;
X. F. Chen
;
Y. Peng
;
X. J. Xie
;
X. B. Hu
;
X. G. Xu
;
P. Yu
;
R. P. Wang
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Nitrogen;
Crystals;
Silicon carbide;
Temperature;
Temperature dependence;
Current measurement;
65.
Micro-Raman scattering study of strain fields in homo-epitaxial layer on nitrogen-doped 4H-SiC substrate
机译:
掺氮4H-SiC衬底上同质外延层中应变场的微拉曼散射研究
作者:
Daisuke Fukunaga
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Strain;
Nitrogen;
Epitaxial growth;
Epitaxial layers;
Stress;
Surface treatment;
66.
Bulk β-Ga2O3 with (010) and (201) surface orientation: Schottky contacts and point defects
机译:
具有(010)和(201)表面取向的块状β-Ga2O3:肖特基接触和点缺陷
作者:
M. E. Ingebrigtsen
;
L. Vines
;
G. Alfieri
;
A. Mihaila
;
U. Badstübner
;
B.G. Svensson
;
A. Kuznetsov
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Spectroscopy;
Conductivity;
Schottky barriers;
Transient analysis;
Photonic band gap;
Admittance;
Ions;
67.
Oxidation effect for the carbon related defect formation in SiC/SiO2 interface by first principles calculation
机译:
通过第一性原理计算得出的SiC / SiO2界面碳相关缺陷形成的氧化效应
作者:
Kenta Chokawa
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Oxidation;
Carbon;
MOSFET;
Electron traps;
Thermal engineering;
Energy states;
68.
Prediction of high-density and high-mobility two-dimensional electron gas at AlxGa1−xN/4H-SiC interface
机译:
AlxGa1-xN / 4H-SiC界面高密度高迁移率二维电子气的预测
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Sima Dimitrijev
;
Jisheng Han
;
Lixin Tian
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Scattering;
Silicon carbide;
Mathematical model;
Photonic band gap;
Nanotechnology;
69.
Non-contact photo-assisted charge-based characterization of dielectric interfaces in SiC: Evidence of slow states
机译:
SiC中介电界面的基于非接触光辅助电荷的表征:慢态的证据
作者:
Alexandre Savtchouk
;
Marshall Wilson
;
Jacek Lagowski
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Dielectrics;
Interface states;
Silicon;
Corona;
Fabrication;
Lighting;
70.
Investigation of direct water photoelectrolysis process using III-N structures
机译:
使用III-N结构的直接水光电解过程的研究
作者:
Alexander Usikov
;
Alexey Nikiforov
;
Oleg Khait
;
Oleg Medvedev
;
Ivan Ermakov
;
Boris Papchenko
;
Mike Puzyk
;
Andrei Antipov
;
Iosif Barash
;
Sergey Kurin
;
Alexander Roenkov
;
Heikki Helava
;
Yuri Makarov
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Corrosion;
Electrodes;
Photonic crystals;
Electrochemical processes;
Gallium nitride;
Semiconductor device measurement;
Hydrogen;
71.
Photoluminescence characterization of carrier recombination centers in 4H-SiC substrates by utilizing below gap excitation
机译:
利用以下间隙激发表征4H-SiC衬底中载流子复合中心的光致发光特性
作者:
K. Kondo
;
N. Kamata
;
H. Yaguchi
;
S. Yagi
;
T. Fukuda
;
Z. Honda
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Photoluminescence;
Substrates;
Silicon carbide;
Image edge detection;
Wavelength measurement;
Crystals;
72.
Improved interface trap density close to the conduction band edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs revealed using the charge pumping technique
机译:
使用电荷泵技术揭示了接近a-Face 4H-SiC MOSFET导带边缘的界面陷阱密度提高
作者:
Gerald Rescher
;
Gregor Pobegen
;
Thomas Aichinger
;
Tibor Grasser
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Charge pumps;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Performance evaluation;
Electron traps;
73.
Physical characterisation of 3C-SiC(001)/SiO2 interface using XPS
机译:
使用XPS对3C-SiC(001)/ SiO2界面进行物理表征
作者:
F. Li
;
O. Vavasour
;
M. Walker
;
D.M. Martin
;
Y. Sharma
;
S. Russell
;
M. Jennings
;
A. Pérez-Tomás
;
P.A. Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Silicon;
MOSFET;
Annealing;
Logic gates;
Threshold voltage;
Substrates;
74.
An investigation into the impact of surface passivation techniques using metal-semiconductor interfaces
机译:
使用金属-半导体界面研究表面钝化技术的影响
作者:
Y. Bonyadi
;
P. M. Gammon
;
Y. K. Sharma
;
G. Baker
;
P. A. Mawby
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
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2016年
关键词:
Passivation;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Carbon;
Capacitance-voltage characteristics;
75.
The effect of incomplete ionization on SiC devices during high speed switching
机译:
高速开关过程中不完全电离对SiC器件的影响
作者:
Kohei Ebihara
;
Kotaro Kawahara
;
Hiroshi Watanabe
;
Shuhei Nakata
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
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2016年
关键词:
Silicon carbide;
Ionization;
Silicon;
Switches;
MOSFET;
Semiconductor process modeling;
Rail transportation;
76.
On the influence of active area design on the performance of SiC JBS diodes
机译:
有源区设计对SiC JBS二极管性能的影响
作者:
A. Mihaila
;
R. A. Minamisawa
;
L. Knoll
;
V. K. Sundaramoorthy
;
E. Bianda
;
H. Bartolf
;
G. Alfieri
;
M. Rahimo
会议名称:
《2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials》
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2016年
关键词:
Schottky diodes;
Silicon carbide;
Layout;
Silicon;
Insulated gate bipolar transistors;
Robustness;
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