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首页> 外文会议>2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials >Improved interface trap density close to the conduction band edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs revealed using the charge pumping technique
【24h】

Improved interface trap density close to the conduction band edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs revealed using the charge pumping technique

机译：使用电荷泵技术揭示了接近a-Face 4H-SiC MOSFET导带边缘的界面陷阱密度提高

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Summary form only given. The complete presentation was not made available for publication as part of the conference proceedings. We study the interface properties of 4H silicon carbide Si-face (0001) and a-face (1120) power MOSFETs using the charge pumping technique. MOSFETs produced on the a-face show a higher electron mobility than Si-face devices, although their charge pumping signal is 5 times higher, indicating a higher interface/border trap density. We show the main contribution to the interface/border trap density on a-face devices originates from deep states in a wide range around midgap, whereas Si-face devices show a higher and exponentially increasing interface/border state density close to the conduction band edge of 4H silicon carbide, resulting in reduced mobility.
机译：仅提供摘要表格。完整的演示文稿未作为会议记录的一部分公开发布。我们使用电荷泵技术研究了4H碳化硅Si面（0001）和a面（1120）功率MOSFET的界面特性。尽管a面生产的MOSFET的电荷泵浦信号高出5倍，但其电子迁移率却比Si面器件高，表明界面/边界陷阱密度更高。我们显示了对a面器件的界面/边界陷阱密度的主要贡献来自中间隙周围较宽范围内的深状态，而Si面器件在接近导带边缘处显示出更高且呈指数增长的界面/边界陷阱密度。 4H碳化硅，导致迁移率降低。

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