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首页> 外文会议>European Conference on Silicon Carbide Related Materials >Improved interface trap density close to the conduction band edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs revealed using the charge pumping technique
【24h】

Improved interface trap density close to the conduction band edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs revealed using the charge pumping technique

机译：利用电荷泵技术透露，改善靠近靠近A-Face 4H-SiC MOSFET的导电边缘的接口陷阱密度

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Summary form only given. The complete presentation was not made available for publication as part of the conference proceedings. We study the interface properties of 4H silicon carbide Si-face (0001) and a-face (1120) power MOSFETs using the charge pumping technique. MOSFETs produced on the a-face show a higher electron mobility than Si-face devices, although their charge pumping signal is 5 times higher, indicating a higher interface/border trap density. We show the main contribution to the interface/border trap density on a-face devices originates from deep states in a wide range around midgap, whereas Si-face devices show a higher and exponentially increasing interface/border state density close to the conduction band edge of 4H silicon carbide, resulting in reduced mobility.
机译：摘要表格仅给出。完整的陈述未作为会议诉讼程序的一部分提供出版物。我们使用电荷泵技术研究了4H碳化硅Si-Face（0001）的界面特性和A形电机MOSFET。在A脸上产生的MOSFET示出了比SI面器件更高的电子迁移率，尽管它们的电荷泵送信号较高5倍，表示较高的界面/边界陷阱密度。我们向A-Face设备上的界面/边框陷阱密度显示出源自中间宽范围内的界面/边界陷阱密度的主要贡献，而Si-Face设备显示出靠近导通带边缘的更高且指数增加的界面/边界状态密度在4H碳化硅中，导致移动性降低。

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