全耗尽SOI MOSFET源/漏寄生电阻半解析模型的研究

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摘要

第1章 绪论

1．2 SOI MOSFET简介

1．3 全耗尽SOI MOSFET器件

1．4 MOSFET源／漏寄生电阻的研究意义

1．5 MOSFET源／漏电阻的研究现状

1．6 各章节内容安排

第2章 MOSFET源／漏寄生电阻的研究方法

2．1 提取法

2．1．1 沟道电阻法

2．1．2 其它提取法

2．2 建模法

2．2．2 解析法

2．2．3 半解析法

2．3 本章小结

第3章 全耗尽SOI MOSFET源／漏寄生电阻的半解析模型

3．2 Ⅰ区电阻的求解

3．3 Ⅱ区和Ⅲ区边值问题的求解

3．3．1 Ⅱ区和Ⅲ区电势问题的偏微分方程

3．3．2 Ⅱ区的边界条件及边值问题的解

3．3．3 Ⅲ区的边值问题及其解

3．4 源漏区电阻的分区求解

3．4．2 Ⅲ区电阻的求解

3．5 本章小结

第4章 全耗尽SOI MOSFET半解析模型的验证分析

4．1 全耗尽SOI MOSFET二维模型电势分布的验证与分析

4．1．1 Ⅱ区二维电势的验证分析

4．1．2 Ⅲ区二维电势的验证分析

4．2 全耗尽SOI MOSFET源／漏寄生电阻的验证分析

4．3 硅化物对全耗尽SOI MOSFET器件涮漏寄生电阻的影响

4．4 本章小结

第5章 总结与展望

5．1 总结

5．2 展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文

参与的科研项目