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付军;
不详;
全耗尽; SOI; MOSFET; 阈电压; 场效应器件;
机译:由于SOI厚度变化在全耗尽的SOI MOSFET中引起的阈值电压波动的抑制
机译:可变阈值电压全耗尽SOI MOSFET的阈值电压控制范围
机译:全耗尽SOI四门MOSFET的排水击穿电压模型
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:全剂量辐照期间全耗尽sOI晶体管响应的新见解
机译:具有耗尽的源极和漏极的全耗尽SOI晶体管
机译:单独使用或用于SOI BiCMOS的全耗尽集电极绝缘体上硅(SOI)双极晶体管
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