机译:可变阈值电压全耗尽SOI MOSFET的阈值电压控制范围
Body effect; Variable threshold voltage CMOS (VTCMOS); Fully-depleted SOI; Inversion; Accumulation; SOI thickness; g{sub}m-V{sub}g characteristics; Carrier distribution;
机译:可变阈值电压全耗尽SOI MOSFET的阈值电压控制范围
机译:可变阈值电压完全耗尽的SOI MOSFET中的阈值电压控制范围
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机译:低于100 nm的全耗尽SOI MOSFET中亚阈值斜率和阈值电压控制的器件设计
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:有机物中嵌入的氧化铜的机理分析阈值电压可控的薄膜晶体管
机译:副通道全耗尽SOI MOSFET的子阈值电流建模与后栅极控制