Threshold voltage control range in variable threshold voltage fully-depleted SOI MOSFETs

Toshiharu Nagumo; Takashi Inukai; Atsumasa Ohsawa; Toshiro Hiramoto

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Threshold voltage control range in variable threshold voltage fully-depleted SOI MOSFETs

机译：可变阈值电压完全耗尽的SOI MOSFET中的阈值电压控制范围

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The controllable range of the threshold voltage (V{sub}(th)) in fully-depleted SOI MOSFETs is limited by the inversion or accumulation condition of the SOI-buried oxide interface. We studied the film thickness dependence of the control range of V{sub}(th) analytically, with introducing a new device parameter γ'. Measured and simulated results of long channel devices were compared, and the origin of discrepancy between analysis and experiment was also discussed qualitatively taking the electron distribution in SOI film into consideration.

机译：完全耗尽的SOI MOSFET中的阈值电压（V {Sub}（Th））的可控范围受到SOI掩埋界面的反转或累积条件的限制。我们通过引入新的器件参数γ'来研究分析v {sub}（Th）控制范围的膜厚度依赖性。比较了长通道装置的测量和模拟结果，并且还考虑了SOI薄膜中的电子分布，还讨论了分析与实验之间的差异的起源。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials》 |2002年第271期|共6页
作者
Toshiharu Nagumo; Takashi Inukai; Atsumasa Ohsawa; Toshiro Hiramoto;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
Body effect; Variable threshold voltage CMOS (VTCMOS); Fully-depleted SOI; Inversion; Accumulation; SOI thickness; g{sub}m-V{sub}g characteristics; Carrier distribution;

机译：体效应;可变阈值电压CMOS（VTCMOS）;完全耗尽的SOI;反转;累积;SOI厚度;G {SUB} M-V {SUB} G特性;载波分布;

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