一种工作在亚阈值条件下的低功耗九管SRAM单元的设计

声明

摘要

第1章 绪论

1．1 课题来源、研究背景及意义

1．2 SRAM简介

1．3 国内外研究现状

1．3．1 国外研究现状

1．3．2 国内研究现状

1．4 本论文的主要研究工作

1．5 本论文的组织结构

1．6 本章小结

第2章 SRAM基本单元架构及分析

2．1 传统六管SRAM存储单元

2．2 单管SRAM存储单元

2．3 八管SRAM存储单元

2．4 本论文提出的九管SRAM存储单元

2．5 本章小结

第3章 低功耗亚阈值SRAM的设计方法及关键技术

3．1 SRAM功耗简介

3．2 工作在亚阈值条件下的SRAM单元稳定性问题

3．2．1 工艺偏差对稳定性的影响分析

3．2．2 电源电压对稳定性的影响分析

3．2．3 温度变化对稳定性的影响分析

3．3 降低SRAM功耗所采用的关键技术

3．4 本章小结

第4章 本论文设计的亚阈值低功耗SRAM基本单元

4．1 基本结构与工作原理

4．1．1 基本结构

4．1．2 工作原理

4．1．3 优缺点

4．2 稳定性仿真

4．2．1 保持噪声容限仿真

4．2．2 读噪声容限仿真

4．2．3 写噪声容限仿真

4．3 读写速度

4．3．1 读操作速度仿真

4．3．2 写操作速度仿真

4．4 静态功耗仿真

4．5 动态功耗仿真

4．6 本论文设计的9管单元与传统6管单元的比较

4．6．1 保持操作仿真

4．6．2 读操作仿真

4．6．3 写操作仿真

4．7 本章小结

第5章 总结与展望

5．1 设计总结

5．2 工作展望

参考文献

附图表

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文及专利情况