一种新型亚阈值SRAM单元设计

孔得斌; 乔树山; 袁甲

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cqvip:降低电源电压能够大幅降低芯片的功耗,进而减小航空电子设备的能量消耗,为使静态随机存储器能够工作在低电压下,面向亚阈值区设计了一种新型的12T存储单元。该单元通过两个堆叠的访问管完成数据的写入操作,通过一个访问管完成读操作,这样能够消除半选单元的干扰问题并使单元适用于位交织结构。并且单元的读访问路径被专用管子从真实存储节点隔离,在增加读稳定性的同时保证了充足的电压感知裕量。应用多阈值设计技术提升单元的写能力并降低漏电功耗。仿真结果表明,在0.4V电压下提出的新型12T单元相较于传统6T单元读噪声容限提升80%、写能力提升60%,相较于10T单元电压感知裕量和访问速度都获得了提升。该12T单元更适用于低压操作。

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来源
《航空科学技术》 |2020年第2期|60-65|共6页
作者
孔得斌; 乔树山; 袁甲;
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作者单位

中国科学院微电子研究所北京100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类专用集成电路;
关键词
低功耗; SRAM; 新单元; 位交织; 位线漏电补偿; 多阈值;

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