PIN结构GaN/AlGaN基探测器的Alpha粒子响应特性研究

声明

第一章 绪论

1.1 本课题研究的意义

1.2 本课题研究的背景

1.3 GaN材料的基本性质

1.4 GaN基核辐射探测器的研究情况

1.5 论文主要研究内容

第二章 PIN结构GaN/AlGaN基探测器的理论模型与仿真算法

2.1 PIN结构GaN/AlGaN基探测器的理论模型

2.2 PIN结构GaN/AlGaN基探测器的仿真算法

2.3本章小结

第三章 PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的性能仿真

3.1 核辐射探测器的相关参数

3.2 Visual-TCAD仿真软件介绍

3.3 PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的设计结构

3.4 器件仿真结构以及特性

3.5 本章小结

第四章 PIN结构GaN/AlGaN基核辐射探测器的性能优化

4.1 I区对探测器的性能影响及优化

4.2 P区参数设计对探测器的性能优化

4.3 N区参数设计对探测器的性能优化

4.5 本章小结

第五章 结构优化后核辐射探测器的性能测试

5.1 环境温度对探测器性能的影响

5.2 外加偏压对探测器性能的影响

5.3 对入射能量不同α粒子的探测性能

5.4 对入射能量不同β粒子的探测性能

5.5 本章小结

第六章 GaN基核辐射探测器的基本工艺实验

6.1 GaN基核辐射探测器的表面欧姆接触工艺实验

6.2 光刻板的制备

6.3 本章小结

第七章 研究总结与展望

7.1 研究总结

7.2 研究展望

致谢

参考文献