纳米MOSFET的高频En-In噪声模型研究

声明

1 绪论

1.1选题背景与意义

1.2纳米MOSFET高频噪声模型研究现状

（1）漏极电流噪声模型

（2）栅极电流噪声模型

（3）互相关噪声

1.3本论文研究内容及结构

2 纳米MOSFET的高频噪声物理模型

2.1器件的双端口等效噪声电流模型

2.2器件的小信号等效噪声电路及其ADS仿真模型

2.3原始实验数据与ADS仿真

2.3.1 小信号等效电路元件参数

2.3.2 电流噪声功率谱密度

2.3.3 ADS 仿真

2.4本章小结

3 纳米MOSFET的高频En-In噪声模型

3.1双端口噪声矩阵变换建模

3.2基于En-In噪声模型的四噪声参数表征

3.3所建模型的验证

3.4本章小结

4 应用验证

4.1基于En-In噪声模型进行噪声评估的必要性

4.2第Ⅰ级电路

4.2.1 电路设计

4.2.2 噪声性能分析

4.3第Ⅱ级电路

4.2.1 电路设计

4.2.2 噪声性能分析

4.4两级级联LNA总体噪声性能分析

4.5 LNA仿真与结果分析

4.6本章小结

5 结论

致谢

参考文献

附录

攻读学位期间取得的研究成果