1 绪论
1.1 量子反常霍尔效应的研究背景
1.2 拓扑绝缘体
1.3 磁掺杂拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应
1.4 本论文的主要内容：
2 理论基础和软件介绍
2.1 第一性原理
2.2 绝热近似和单电子近似
2.3 密度泛函理论
2.4 交换关联泛函
2.5 赝势
2.6 相关的计算软件
3 Cr/V掺杂Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3拓扑绝缘体薄膜磁性和电子结构的研究
3.1 引言
3.2 计算细节
3.3结果与讨论
3.4 结论
4 Cr/V分别掺杂均匀和非均匀(BixSb1-x)2Te3薄膜的磁性和电子结构的研究
4.1 引言
4.2 计算细节
4.3 结果与讨论
4.4 结论
5 全文总结
参考文献
附录
在学期间研究成果
致谢
山西师范大学;
