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刘传洋;
西安电子科技大学;
机译:4H-SiC上用于AlGaN / GaN异质结构的AlN成核层的研究
机译:AlGaN / AlN / GaN,AlGaN / GaN和InAlN / GaN异质结中中子辐照效应的比较
机译:低温氨基分子束外延生长的金属极性AlGaN / AlN / GaN和AlN / GaN异质结构中的纯AlN层
机译:初始AlN成核层顶部初始ALN核核液体和垂直漏电流AlGaN缓冲层的关系与AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管结构的垂直漏电流
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
机译:alN成核层诱导应变对si(111)衬底上alGaN / GaN异质结电性能的影响
机译:alN,GaN和选择的siC多型组合的假晶半导体异质结构:理论进展及其与成核,生长,表征和器件开发实验研究的协调
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
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