宽禁带半导体材料的制备与欧姆接触研究

声明

摘要

第一章绪论

1．2．2AlN的国内外研究现状

1．2．3AlN欧姆接触研究现状

1．3 BN材料的研究现状

1．3．1BN的基本结构与性质

1．3．2国内外研究现状

1．4本文主要研究内容及意义

第二章AlN的欧姆接触研究

2．1欧姆接触的原理

2．2欧姆接触的主要意义

2．3比电阻率的计算模型

2．4欧姆接触的制备

2．5测试分析方法简介

2．5．1扫描电子显微镜(SEM)

2．5．2透射电子显微镜(TEM)

2．5．3X射线行i射(XRD)

2．6无氧等离子体处理的欧姆接触研究

2．7本章小结

第三章表面氧等离子体处理对欧姆接触的影响

3．1氧等离子体处理表面

3．2氧等离子体修饰后的AlN-Pd／Al／Au电极欧姆接触研究

3．3氧修饰的氮化铝表面功函数计算

3．4本章小结

第四章hBN的制备与欧姆接触研究

4．1制备方法与原理

4．2结果与讨论

4．3 hBN的金属半导体接触探索

4．4本章小结

第五章总结与展望

5．1总结

5．2展望

参考文献

致谢

发表的学术论文与参与的学术活动

作者及导师简介