The Chinese University of Hong Kong (Hong Kong).;
机译:金属有机化学气相沉积法在GaAs(100)衬底上准一维ZnSe纳米线的形貌和生长速率变化
机译:新型雾化学气相沉积法制备的形貌可控的单晶ZnO纳米结构
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅱ。梯度AlGaN缓冲层
机译:纳米结构金属催化剂通过金属化学气相沉积ZnSe纳米线的生长
机译:化学控制金属的氧化态以及通过金属有机气相沉积沉积的纳米结构和薄膜的形态。
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:通过金属有机化学气相沉积生长和表征III-V化合物半导体纳米结构
机译:金属有机化学气相沉积法制备氮化铝和碳化硅固溶体。