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首页> 外文学位 >Theoretical results in inverse problems for size, solvability, and uniqueness in the P-N junction and doping profile of semiconductors.
【24h】

Theoretical results in inverse problems for size, solvability, and uniqueness in the P-N junction and doping profile of semiconductors.

机译：理论上，半导体的P-N结和掺杂轮廓存在尺寸，可溶性和唯一性方面的反问题。

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摘要

We present an overview of mathematical models for electrons and holes in semiconductors. We use these to pose some inverse problems for determining the doping profile of a semiconductor. We establish the solvability of the equilibrium equation lambda2Deltau = eu - e-u - C in O. We also obtain information about the conductivity coefficient in the important case when it is piecewise constant and discontinuous.
机译：我们概述了半导体中电子和空穴的数学模型。我们使用这些方法提出一些反问题来确定半导体的掺杂分布。我们在O中建立了平衡方程lambda2Deltau = eu-e-u-C的可解性。在重要的情况下，当电导系数为分段常数且不连续时，我们还可以获得有关电导系数的信息。

著录项

  • 作者

    Myers, Joseph K.;

  • 作者单位

    Wichita State University.;

  • 授予单位 Wichita State University.;
  • 学科 Mathematics.;Electromagnetics.
  • 学位 M.S.
  • 年度 2006
  • 页码 56 p.
  • 总页数 56
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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