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Bipolar large-signal modeling and power amplifier design.

机译：双极大信号建模和功率放大器设计。

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摘要

A novel empirical bipolar large-signal modeling method is proposed. This technique considerably reduces the extraction and modeling effort, compared to traditional large-signal models, while retaining a high degree of accuracy. The proposed model is unified, i.e. it predicts the DC, small and large signal performance of the device. It has been validated for InGaP/GaAs HBT, Si-BJT and SiGe HBT devices.; The design of power amplifiers in SiGe HBT technology is investigated. A 2.4 GHz high-efficiency SiGe HBT-LTCC power amplifier module is presented, whose performance is comparable to that achieved previously only in GaAs-based technologies. The design of power amplifiers in low breakdown voltage SiGe HBT technology, at low supply voltages is investigated. A 2.5 V, 1.9 GHz power amplifier in a low breakdown voltage (BVCEO = 3 V, BVCBO = 7 V) SiGe HBT technology is demonstrated. Novel biasing and ballasting techniques are proposed for SiGe HBT power amplifiers.; The work described in the dissertation significantly advances the state-of-the-art in bipolar large-signal modeling and power amplifier design. The contributions and implications of this work for future research are discussed.
机译：提出了一种新颖的经验双极大信号建模方法。与传统的大信号模型相比，该技术大大减少了提取和建模工作，同时保持了很高的准确性。提出的模型是统一的，即可以预测设备的DC，大小信号性能。它已经过InGaP / GaAs HBT，Si-BJT和SiGe HBT器件的验证。研究了采用SiGe HBT技术的功率放大器的设计。提出了一种2.4 GHz高效SiGe HBT-LTCC功率放大器模块，其性能与以前仅基于GaAs的技术所达到的性能相当。研究了在低电源电压下采用低击穿电压SiGe HBT技术的功率放大器的设计。演示了具有低击穿电压（BVCEO = 3 V，BVCBO = 7 V）SiGe HBT技术的2.5 V，1.9 GHz功率放大器。提出了针对SiGe HBT功率放大器的新型偏置和镇流技术。论文中描述的工作极大地推动了双极大信号建模和功率放大器设计的最新发展。讨论了这项工作对未来研究的贡献和意义。

著录项

  • 作者

    Raghavan, Arvind.;

  • 作者单位

    Georgia Institute of Technology.;

  • 授予单位 Georgia Institute of Technology.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2003
  • 页码 120 p.
  • 总页数 120
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
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