Lehigh University.;
Alumina-silicon interfaces; Deposition temperature; MOSCaps; Negative fixed charges;
机译:通过纳米雾低温原子层沉积,二维材料上的缩放双层栅氧化物中的界面陷阱密度低
机译:具有超薄等离子氮化SiON栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在负偏置温度不稳定性下的界面陷阱和氧化物电荷产生
机译:HfSiON本体中的电荷陷阱对HfSiON栅堆叠的正负偏压温度不稳定性的影响
机译:局部界面电荷对双材料双栅极隧道FET漏极电流的影响
机译:原子层沉积(ALD),用于高级栅堆叠应用和生产线的ULSI前端(FEOL)。
机译:基于静电喷雾沉积的氧化锰膜—从伪电容电荷存储材料到三维微电极集成体
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:混凝土的强度和耐久性:水泥浆 - 骨料211界面的影响。第一部分界面过渡带211对混凝土材料性能影响的理论研究