热致封装效应对MEMS器件谐振特性影响的单元库模型

宋竞; 黄庆安; 唐洁影

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大量试验和数值仿真结果均已确认封装-器件的热失配对MEMS器件性能及可靠性有显著影响,即热致封装效应.然而迄今为止仍缺乏有效的物理模型对此加以系统描述.本文基于单元库法思想和节点法分析手段构建了MEMS热致封装效应的理论模型.通过对非器件结构如锚区、衬底等标准化单元建模,扩充了节点分析法在封装级MEMS仿真领域的应用.文中以常见MEMS基本器件和封装结构为例进行了研究,计算了热致封装效应对器件谐振特性的影响,并利用有限元仿真进行验证.最后讨论了封装级MEMS设计面临的挑战.

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来源
《电子学报》 |2008年第5期|943-947|共5页
作者
宋竞; 黄庆安; 唐洁影;
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作者单位

东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京,210096;

东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京,210096;

东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类设计;制造工艺;
关键词
MEMS; 热致封装效应; 谐振; 单元库思想; 节点分析法;

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