体硅CMOS FinFET结构与特性研究

殷华湘; 徐秋霞

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建立在SOI衬底上的 FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOS FinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOS FinFET在未来电路中的应用前景.

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来源
《电子学报》 |2005年第8期|1484-1486|共3页
作者
殷华湘; 徐秋霞;
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作者单位

中国科学院微电子研究所硅器件和集成电路技术研究室,北京,100029;

中国科学院微电子研究所硅器件和集成电路技术研究室,北京,100029;

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正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
鱼脊形场效应晶体管; 体硅; 凹槽器件; 新结构; CMOS;

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