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VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制

         

摘要

基于自发辐射在微腔激光器中的独特性,利用参数开关调制控制混沌的理论和技术,对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模拟.结果表明,提高自发辐射因子可抑制VCSELs的非线性行为,通过对自发辐射因子的开关调制,可把系统由混沌状态控制到平衡态和nP周期轨道,同时给出了VCSELS各种稳定周期态、分岔数、分岔点位置和混沌带与调控参数之间的定量关系.

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |2004年第11期|1789-1792|共4页
  • 作者单位

    西南交通大学计算机与通信工程学院,四川成都,610031;

    电子科技大学光电信息学院,四川成都,610054;

    电子科技大学光电信息学院,四川成都,610054;

    西南交通大学计算机与通信工程学院,四川成都,610031;

    西南交通大学计算机与通信工程学院,四川成都,610031;

    电子科技大学光电信息学院,四川成都,610054;

    西南交通大学计算机与通信工程学院,四川成都,610031;

    电子科技大学光电信息学院,四川成都,610054;

    西南交通大学计算机与通信工程学院,四川成都,610031;

    四川大学电子信息学院,四川成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体激光器;
  • 关键词

    VCSELs; 自发辐射因子; 分岔; 混沌; 参数控制;

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