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朱恩均; 顾慰华;
无;
机译:InGaP / AlGaAs / GaAs复合发射极异质结双极/光电晶体管(CEHBT / CEHPT)的光电特性
机译:薄发射极后退层对GaAsδ掺杂发射极双极结晶体管的影响
机译:具有钝化壁架的0.25μm发射极InP / InAlGaAs / GaAsSb双异质结双极晶体管的电流增益超过100
机译:基于InGaAs / InP双极异质结晶体管的数字调制毫米波源的噪声特性放置在光放大系统中的晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:alGaas / InGaasN / Gaas pnp双异质结双极晶体管
机译:多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法
机译:具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译:多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件,多极型双极结型晶体管的制造方法和双极CMOS DMOS器件的制造方法
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