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高温多次N^+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究

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摘要

在1000℃高温下,经多次N+注入硅形成了晶态α-si_3N_4省去了常规SOI技术中的高温长时间热退火工艺。这对于简化工艺步骤、降低工艺温度和缩短工艺时间有实际意义。

著录项

来源
《电子学报》 |1992年第8期|77-79|共3页
作者
柳襄怀;
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作者单位

中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
晶态α-Si3N4; 高温; 注入工艺;

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