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葛晨; 李胜; 张弛; 刘斯扬; 孙伟锋;
东南大学微电子学院;
东南大学电子科学与工程学院;
增强型; 高级Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis模型; p-GaN栅; 转移特性; 输出特性; 栅电容; 栅电流;
机译:p-GaN HEMT器件的高温电性能和基于物理的分析
机译:一种基于物理的分析和模型P-GaN功率HEMT的方法
机译:AlGaN / GaN HEMT器件中表面电势和本征电荷的分析模型
机译:具有p-GaN栅极结构的增强型GaN HEMT功率器件的ESD行为
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:不同修复方法对常关P-GaN HEMT电性能的影响
机译:未掺杂的基于AlGaN / GaN HEMT的两端子器件在含H +和OH-的水溶液中的表面反应
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
机译:基于SI基体的基于GAN的增强型HEMT装置及其制造方法
机译:增强型III族氮化物HEMT器件的制造方法以及由其制造的III族氮化物结构
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