金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究

杨帆; 马瑾; 孔令沂; 栾彩娜; 朱振

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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.

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来源
《物理学报》 |2009年第10期|7079-7082|共4页
作者
杨帆; 马瑾; 孔令沂; 栾彩娜; 朱振;
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作者单位

山东大学物理学院;

济南250100;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
金属有机物化学气相沉积; Ga2(1-x)In2xO3薄膜; 蓝宝石衬底; 退火;

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