基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究

黄玥; 苟鸿雁; 廖忠伟; 孙清清; 张卫; 丁士进

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采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)cm~(-2)的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3-+8 V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2.01 V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9 V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.

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来源
《物理学报》 |2010年第3期|2057-2063|共7页
作者
黄玥; 苟鸿雁; 廖忠伟; 孙清清; 张卫; 丁士进;
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作者单位

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433;

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正文语种 chi
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关键词
Pt纳米晶; 快速热退火; 原子层淀积; 存储效应;

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