硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

刘启明; 何漩; 干福熹; 钱士雄

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硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

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利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3, As2Se3, GeS2, GeSe2, Ge20As25S55, Ge20As25Se55, Ge10As40S20Se30 七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3值(达10-12 esu),非线性响应时间很快(小于200 fs).并根据测量结果计算出了薄膜的非线性折射率和吸收. 硫系非晶半导体薄膜中较大的非线性极化率值的出现是由于核外电子轨道的非线性扭曲所致.

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来源
《物理学报》 |2009年第2期|1002-1006|共5页
作者
刘启明; 何漩; 干福熹; 钱士雄;
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作者单位

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

复旦大学物理系,上海,200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类流变学;
关键词
全光开关,硫系非晶半导体薄膜,飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE),三阶非线性;

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