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太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

         

摘要

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade lasel,简称THz QCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THz QCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子,THz QCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2009年第10期|7083-7087|共5页
  • 作者单位

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    太赫兹; 量子级联激光器; 分子束外延; X射线衍射;

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