In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

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• 来源
  《物理学报》 |2004年第8期|2467-2471|共5页
• 作者

  张纪才; 王建峰; 王玉田; 杨辉;

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• 作者单位

  中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;

  武汉大学物理系,武汉,430072;

  中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  x射线三轴晶衍射; 界面粗糙度; 位错; InGaN/GaN多量子阱;