硫化氧化两步法提高(110)取向ZnO纳米片比表面及其光电极应用

著录项

• 来源
  《物理化学学报》 |2013年第9期|1975-1980|共6页
• 作者

  魏玉龙; 包春雄; 高皓; 黄欢; 于涛; 邹志刚;

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• 作者单位

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093;

  南京大学物理学院环境材料与再生能源研究中心,南京210093;

  南京大学材料科学与工程系,南京210093;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体化学;
• 关键词

  ZnO纳米片; 硫化-氧化两步法; 比表面积; 光电极;