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硫脲修饰法制备高发光性能CdTe量子点

         
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通过巯基水解制备了具有优异荧光特性的碲化镉量子点.详细研究前驱体镉离子与巯基丙酸(MPA)摩尔比、镉离子浓度等制备条件对大尺寸、高量子产率的亲水性碲化镉量子点光学性能的影响.在不同的水热生长时间下,可制备出荧光发射峰位于485-660 nm范围内的不同尺寸的碲化镉水溶性量子点,荧光发射峰半高宽控制在40-75 am之间,量子点的最高量子产率(QY)达到了45%.并利用硫脲缓慢水解和光解释放自由硫离子,修饰碲化镉表面,检测修饰后的量子点在12天内光学性能的变化情况.通过考察硫脲用量对量子点修饰效果,发现当n(CdTe)/n(thiourea)=1∶4(量子点浓度以镉离子浓度计)时,硫脲对发射峰为505 nm的碲化镉量子点修饰效果最为理想,量子点荧光强度加强了5倍,量子产率达到68.3%.

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