首页> 中文期刊> 《集成电路应用》 >EUV光刻技术与摩尔定律

EUV光刻技术与摩尔定律

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

光刻技术要数现代集成电路上的第一大难题.光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素.但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长.现在,晶圆制造的工艺技术发展的确到了一个转折点.有人认为EUV光刻能够拯救摩尔定律,但事实是否真的如此还有待验证.

著录项

来源
《集成电路应用》 |2017年第3期|50-52|共3页
作者
邹志同;
展开▼
作者单位

昆明理工大学研究生院,云南650093;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
晶圆制造; 摩尔定律; EUV光刻; ASML;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 [J] . 翁寿松 . 电子工业专用设备 . 2007,第004期
2. 下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍：EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm [J] . . 微纳电子技术 . 2002,第7期
3. EUV光刻技术的难点分析 [J] . Mark LaPedus . 集成电路应用 . 2017,第011期
4. EUV光刻技术的挑战(2015"现代光学制造工程与科学"国际论坛暨高端研讨会演讲) [J] . 程建瑞 . 电子工业专用设备 . 2015,第005期
5. 极紫外光EUV光刻技术促进半导体格局新变化 [J] . 莫大康 . 集成电路应用 . 2015,第001期
6. 下一代光刻技术—极紫外光刻(EUV) [C] . 刘业异 ,姚汉民 ,胡松 . 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 . 2001
7. 延伸摩尔定律：基于GeSn的高性能、低功耗场效应晶体管研究 [A] . 刘明山 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号