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一种实用的IGBT驱动电路

         

摘要

1 简介高频化、智能化、模块化是电力半导体器件发展的主要方向,IGBT即是MOS与BJT复合型功率模块,它既有MOSFET管易于驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量人的优点,其频率介于MOSFET管与晶体管之间,在较高频率人、中功率的场合目前是首选器件,其与晶体管相比,控制电路简单,驱动电路功耗小。

著录项

  • 来源
    《集成电路应用》 |2001年第6期|52-53|共2页
  • 作者

    刘永超; 王怀颖; 阵明;

  • 作者单位

    西北工业大学 710072;

    西安理工大学 710048;

    西北工业大学 710072;

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  • 正文语种 chi
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