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Tokyo; Electron公司; FPD等离子蚀刻/灰烬系统; 处理气体; 涡轮分子泵; 基板;
机译:在碳氟化合物等离子体中进行SiO_2蚀刻期间,在侧壁上重新沉积蚀刻产物。 IV。 CF_4等离子体中基板温度的影响
机译:用于高纵横比蚀刻熔融二氧化硅,硼硅酸盐和铝硅酸盐玻璃基板的高纵横比蚀刻的电感耦合等离子体反应离子蚀刻工艺
机译:FPD玻璃基板用蚀刻剂的研究
机译:在AI2O3-TiC基板上的氟基等离子体蚀刻的空气轴承表面(ABS)蚀刻的侧壁上演示了从AIF3重沉积到聚合物重沉积的改性
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:适用于高级应用的聚合物基板的选择性等离子体蚀刻
机译:单组分自蚀刻底漆:第七代正畸粘接系统?
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻
机译:将基板暴露于表面微波等离子体的方法,蚀刻方法,沉积方法,表面微波等离子体产生装置,半导体基板蚀刻装置,半导体基板沉积装置和微波等离子体产生天线组件
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