一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用

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专利申请号:CN201810690566公开号:CN109148158A申请日:2018.06.28公开日:2019.01.04申请人:广东工业大学本发明公开了一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用,所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液,再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。其制备方法包括如下步骤:S1:将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液;S2:对FTO导电玻璃进行前期表面洗涤处理;S3:将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触,在高温高压的条件下充分反应后,在FTO衬底上制备得到硒化钼半导体薄膜。本发明制备得到的硒化钼半导体薄膜具有物相均匀、结晶良好、纯度较高、致密等优点,制备工艺简单、成本低廉,由本发明所制备的硒化钼半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和光催化水解制氢应用中具有良好的前景。

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来源
《中国钼业》 |2021年第3期|51-51|共1页
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正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
半导体薄膜; 染料敏化太阳能电池; 广东工业大学; 前驱液; 混合溶剂; 光催化; 硒化钼; 水解制氢;

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