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一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用

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本发明公开了一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用，所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液，再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。其制备方法包括如下步骤：S1：将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S2：对FTO导电玻璃进行前期表面洗涤处理；S3：将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在FTO衬底上制备得到硒化钼半导体薄膜。本发明制备得到的硒化钼半导体薄膜具有物相均匀、结晶良好、纯度较高、致密等优点，制备工艺简单、成本低廉，由本发明所制备的硒化钼半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和光催化水解制氢应用中具有良好的前景。

著录项

公开/公告号CN109148158A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人广东工业大学;
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申请/专利号CN201810690566.X
发明设计人温如春;招瑜;魏爱香;刘俊;肖志明;
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申请日2018-06-28
分类号
代理机构广东广信君达律师事务所;
代理人杨晓松
地址 510062 广东省广州市大学城外环西路100号
入库时间 2024-02-19 08:33:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20180628

实质审查的生效
2019-01-04

公开

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