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微电子所在新型负电容FinFET器件研究取得进展

         

摘要

近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求,基于主流后高K金属栅(HKMG-last)三维FinFET器件集成技术,成功研制出高性能的负电容FinFET器件。

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