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Si基I型笼状物的高压制备与性能研究

         

摘要

为了通过稀土元素的掺杂提高Ⅰ型笼状物材料的热电性能,本文采用高温、高压的方法合成了有Yb元素掺杂的Ba-AgSi基及Ce元素掺杂的Ba-Au-Si基Ⅰ型笼状物热电材料。X射线衍射分析表明样品为伴随极少量第2相的Ⅰ型笼状物。通过背散射电子成像图及电子能谱分析发现,合成的样品有2种相:灰色的基体相(α相)和白色的富Yb或Ce的第2相(β相)。在707K时,样品Yb_(0.5)Ba_(7.6)Ni_(0.1)Ag_(4.6)Si_(41.3)的功率因子可达0.474×10-(-3)W/mK-2。随着Ce分子量的增加,Ba-Au-Si基样品的电性能变好。在900K时,样品Ce_(1.5)Ba_(6.8)Ni_(0.1)Au_(4.9)Si_(41)的功率因子为0.01×10-(-3)W/mK-2,较样品Ce_1Ba_(7.3)Ni_(0.1)Au_(4.9)Si_(41)的功率因子增大了1倍多。

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