电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响

王云龙; 王国政; 杨继凯; 崔丹丹; 端木庆铎

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电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响

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针对电化学刻蚀硅微通道过程中通道开口处壁厚值小,通道侧蚀严重的问题,基于电化学腐蚀原理,利用PARSTAT2273电化学工作站及自制的三电极电解槽刻蚀系统,通过一个对比实验,分别在30、20mA/cm2的电流密度下刻蚀了硅微通道样品。刻蚀完成后,沿（100）晶向将样品切开,并利用扫描电子显微镜观察刻蚀完成后通道壁厚情况。实验结果表明,通道壁厚不均匀的情况得到了改善,侧蚀严重的深度从70μm下降到了30μm,得到了壁厚均匀区域更长的硅微通道结构。

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来源
《中国科技论文》 |2015年第24期|P.2915-2917|共3页
作者
王云龙; 王国政; 杨继凯; 崔丹丹; 端木庆铎;
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作者单位

长春理工大学理学院,长春130022;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类微光技术、微光夜视仪;
关键词
电化学; 硅微通道; 微通道壁厚; 电流密度;

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