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一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法

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摘要

本发明公开了一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：a)选取晶向硅片；b)制作掩模层；c)利用光刻的办法，先定义孔的位置；d)电化学阳极氧化，阳极使用浓度控制在2～5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1；e)调节F离子浓度，刻蚀电流大于10mA/cm

著录项

公开/公告号CN101117206B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-26

原文格式PDF
申请/专利权人上海欧普泰科技创业有限公司;华东师范大学;
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申请/专利号CN200710044569.8
发明设计人王连卫;林继磊;陈晓明;徐少辉;王振;
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申请日2007-08-03
分类号
代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司;
代理人吴泽群
地址 200062 上海市普陀区中江路879弄27号楼208室
入库时间 2022-08-23 09:11:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81C 1/00 授权公告日:20120926 终止日期:20130803 申请日:20070803

专利权的终止
2012-09-26

授权

授权
2012-07-18

著录事项变更 IPC(主分类):B81C 1/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20070803

著录事项变更
2008-04-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-06

公开

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