N2分压对ZrGeN阻挡层微结构及性能影响

张彦坡; 刘波; 任丁; 林黎蔚; 杨斌; 徐可为

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N2分压对ZrGeN阻挡层微结构及性能影响

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采用射频磁控溅射技术在Si(111)基体和Cu之间沉积ZrGeN阻挡层,重点研究了Cu/ ZrGeN/Si多层膜系中N2分压对ZrGeN微结构及阻挡层性能的影响.采用四探针电阻仪、X射线光电子能谱、X射线衍射仪、俄歇电子能谱表征ZrGeN薄膜和Cu/ZrGeN/Si多层膜体系的电阻率、成分、微结构和热稳定性能.ZrGeN薄膜结构在沉积过程中对N2与Ar气体流量比非常敏感,随N2/(Ar+N2)流量比的增加,依次形成多晶、类非晶ZrGeN膜层；较高N2含量的ZrGeN系统在800℃退火后仍能保持其菲晶结构,Cu在其中的扩散速度慢,可以作为扩散阻挡层使用.

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来源
《中国科技论文》 |2013年第2期|132-135|共4页
作者
张彦坡; 刘波; 任丁; 林黎蔚; 杨斌; 徐可为;
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作者单位

西安交通大学材料科学与工程学院,金属材料强度国家重点实验室,西安710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;特种结构材料;
关键词
薄膜; 扩散阻挡层; 微结构; 热稳定性; 非晶态;

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