短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究

赵少峰; 易扬波

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利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CM0S器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS流片测试的阈值电压为士O.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.

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来源
《电子器件》 |2007年第2期|373-375|共3页
作者
赵少峰; 易扬波;
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作者单位

东南大学集成电路学院,南京,210096;

东南大学集成电路学院,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子电路;场效应型;
关键词
短沟道; 工艺模拟; 铝栅CMOS工艺;

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