GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀

杨瑞霞; 陈宏江; 武一宾; 杨克武; 杨帆

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用a台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5:1到2:1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5:1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性.

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来源
《电子器件》 |2007年第2期|384-386390|共4页
作者
杨瑞霞; 陈宏江; 武一宾; 杨克武; 杨帆;
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作者单位

河北工业大学信息学院,天津,300130;

中国电子科技集团公司第13所,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第13所,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第13所,石家庄,050051;

河北工业大学信息学院,天津,300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
柠檬酸; GaAs/AlxGa1-xAs系统; 柠檬酸; 选择性湿法腐蚀; GaAs MESFET;

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